金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“静电防护结构及存储器“,公开号CN117476635A,申请日期为2022年7月。
专利摘要显示,本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种静电防护结构及存储器,静电防护结构包括:衬底,以及连续设置在衬底中的第一阱区、第二阱区和第三阱区;第一反型掺杂区和第一同型掺杂区,设置于第一阱区内;第二反型掺杂区、第三反型掺杂区和第二同型掺杂区,设置于第二阱区内;第四反型掺杂区和第三同型掺杂区,设置于第三阱区内;其中,第一反型掺杂区和第三反型掺杂区用于连接第一信号端,第二反型掺杂区和第四反型掺杂区用于连接第二信号端,第一同型掺杂区、第二同型掺杂区和第三同型掺杂区电连接,以设计面积小,触发电压低,静电防护能力强的静电防护结构,从而满足低压高速存储器产品的静电防护要求。
来源:金融界