金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利,公开号 CN120529650A,申请日期为 2025 年 05 月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括待保护单元和静电防护单元;静电防护单元包括至少两个半导体元件;半导体器件包括:衬底;位于衬底一侧的沟道层和势垒层,以及位于势垒层远离衬底一侧的掺杂半导体层;掺杂半导体层内设置有与至少两个半导体元件一一对应的至少两个第一耗尽结构,以及与至少两个半导体元件一一对应的至少两个第二耗尽结构;第一耗尽结构在衬底上的正投影环绕半导体元件在衬底上的正投影,第二耗尽结构环绕第一耗尽结构;第一耗尽结构与待保护单元的控制极和第一极中的一个电连接,第二耗尽结构与待保护单元的控制极和第一极中的另一个电连接。
天眼查资料显示,英诺赛科(苏州)半导体有限公司,成立于2017年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析,英诺赛科(苏州)半导体有限公司参与招投标项目40次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息241条,此外企业还拥有行政许可51个。
来源:金融界